Y broses o ysgythru metel

Un o'r camau allweddol mewn gweithgynhyrchu cylched integredig yw cael gwared ar yr haen ffilm denau nad yw'r gwrthiant wedi'i gorchuddio a chael patrwm ar y ffilm denau sy'n hollol gyson â'r ffilm Resist.
Yn y broses weithgynhyrchu o gylchedau integredig, mae'n ofynnol yn gyntaf i gyfres o weithrediadau cain fel alinio masg, amlygiad a datblygiad efelychu'r patrwm a ddymunir yn gywir ar y ffilm gwrthsefyll. Yn ogystal, gellir defnyddio trawstiau electronau manwl uchel yn uniongyrchol hefyd i lunio'r patrwm a ddymunir ar y ffilm gwrthsefyll.
Ar ôl cwblhau'r cam hwn, mae'r patrwm yn cael ei drosglwyddo ar unwaith i'r ffilm denau dielectrig (fel silicon ocsid, nitrid silicon, silicon polycrystalline) neu ffilm denau metel (fel alwminiwm a'i aloion) o dan y gwrthiant gyda manwl gywirdeb uchel iawn, a thrwy hynny greu patrwm haen denau ar y dyluniad yn gofyn yn llwyr.

Mae'r broses ysgythru yn chwarae rhan hanfodol yn y broses hon, gan gael gwared ar yr haen ffilm denau heb ddiogelwch yn ddetholus trwy gemegol, corfforol, neu gyfuniad o'r ddau ddull, gan ffurfio patrwm ar y ffilm denau sy'n union yr un fath â'r un ar y ffilm gwrthsefyll.Mae craidd technoleg ysgythru yn gorwedd yn ei ddetholusrwydd, hynny yw, dim ond tynnu'r rhannau nad ydynt yn cael eu gorchuddio gan y gwrthiant wrth gadw'r rhannau a ddiogelir gan y gwrthiant.
Rhennir technoleg ysgythru yn bennaf yn ddau fath: ysgythriad sych ac ysgythriad gwlyb.Mae ysgythriad sych yn bennaf yn defnyddio nwyon a phlasma adweithiol ar gyfer ysgythru, tra bod ysgythriad gwlyb yn cyflawni ysgythriad yn bennaf trwy adweithiau cemegol rhwng adweithyddion cemegol a'r deunydd sy'n cael ei ysgythru, fel arfer mewn amgylchedd hylif, gan ddefnyddio toddiannau cemegol i hydoddi deunyddiau ffilm tenau yn ddetholus.
Mae gan y ddau ddull ysgythru hyn eu manteision a'u hanfanteision eu hunain. Mewn cymwysiadau ymarferol, dylid eu dewis a'u optimeiddio yn unol ag anghenion penodol i sicrhau bod y patrwm haen denau terfynol a geir yn cwrdd â'r gofynion dylunio.